1. Improvement of the reliability of AlGaN-based UV-C LEDs and application of water purification 招待有り 国際会議

    Yoshiki Saito, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Hiroshi Miwa, Koji Okuno, Masaki Oya, Shinji Tsukamoto, Yusuke Toyoda, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu

    SPIE Photonics West  2026年1月22日 

  2. Light extraction structure formation process in DUV-LEDs 招待有り 国際会議

    Yoshio Honda, Ryoko Tsukamoto, Yuta Furusawa, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano, Yoshiki Saito

    SPIE Photonics West  2026年1月22日 

  3. Room temperature electroluminescence of Pr-implanted GaN p-n junction diode 国際会議

    S. Ito, S.-I. Sato, M. Boćkowski, M. Deki, H. Watanabe, S. Nitta, M. Kushimoto, A. Tanaka, K. Yoshida, H. Minagawa, Y. Honda, H. Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2025 (ICMaSS 2025)  2025年12月13日 

  4. Beryllium Acceptor States in Aluminum Nitride by Cathodoluminescence Analysis 国際会議

    Yingying Lin, Jia Wang, Wentao Cai, Haitao Wang, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2025 (ICMaSS 2025)  2025年12月13日 

  5. Study of Beryllium Acceptor States in Aluminum Nitride Through Cathodoluminescence Analysis 国際会議

    Yingying Lin, Jia Wang, Wentao Cai, Haitao Wang, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors, the 22nd China International Forum on Solid State Lighting (IFWS&SSLCHINA2025) 

  6. パワーデバイス用GaN結晶成長のコツ 招待有り

    第44回電子材料シンポジウム（EMS-44）  2025年10月16日 

  7. RFマグネトロンスパッタリング法により成膜した DUV-LEDコンタクト層用MoOxの評価

    柴田一翔、久志本真希、本田善央、天野浩

    第86回応用物理学会秋季学術講演会  2025年9月10日 

  8. Pushing the boundaries of deep UV laser diode technology 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano

    SPIE Optics + Photonics 2025  2025年8月3日 

  9. Degradation of far-ultraviolet light emitting diodes on AlN substrate 国際会議

    Shashwat Rathkanthiwar, Maki Kushimoto, Yudai Shimizu, Kazutada Ikenaga, Mayank Bulsara, Keitaro Ikejiri, Hiroshi Amano, Leo J. Schowalter

    15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)  2025年7月8日 

  10. Study of Beryllium Acceptor States in Aluminum Nitride via Cathodoluminescence Analysis 招待有り 国際会議

    Yingying Lin, Jia Wang, Wentao Cai, Haitao Wang, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)  2025年7月8日 

  11. Room temperature electroluminescence of Pr-implanted GaN p-n junction diode 国際会議

    S. Ito, S.-I. Sato, M. Boćkowski, M. Deki, H. Watanabe, S. Nitta, M. Kushimoto, A. Tanaka, K. Yoshida, H. Minagawa, Y. Honda, H. Amano

    15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)  2025年7月8日 

  12. Deep Ultraviolet Edge-Emitting Lasers:Progress and Prospects 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)  2025年7月9日 

  13. Advances in Deep Ultraviolet Semiconductor Laser: From Material Challenges to Device Performance 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano

    2025 Conference on Lasers and Electro-Optics/Europe (CLEO®/Europe-EQEC 2025)  2025年6月26日 

  14. Technological Advancements in AlGaN-Based Deep Ultraviolet Laser Diodes 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano

    2025 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CSManTech 2025)  2025年5月22日 

  15. Development for long lifetime and high efficiency DUV LEDs 招待有り 国際会議

    Yoshiki Saito, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu

    SPIE Photonics West 2025  2025年1月30日 

  16. Power degradation mechanism of UV-C LEDs under current stress 招待有り 国際会議

    Yoshio Honda, Shigefusa F. Chichibu, Kohei K. Shima, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Yoshiki Saito, Atsushi Tanaka, Tetsuya Takeuchi, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano

    SPIE Photonics West 2025  2025年1月30日 

  17. Recent progress in the development of AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

    Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, Koji Aoto,

    SPIE Photonics West 2025  2025年1月28日 

  18. Impact of growth conditions on IQE of Far-UVC LEDs 国際会議

    Shashwat Rathkanthiwar, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano, Yudai Shimizu, Kazutada Ikenaga, Mayank Bulsara, Keitaro Ikejiri, Leo J Schowalter

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)  2024年11月5日 

  19. High-Al-content AlGaN p-n Diodes Enabled by Distributed Polarization Doping 招待有り 国際会議

    Takeru Kumabe, Akira Yoshikawa, Seiya Kawasaki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Manabu Arai, Jun Suda, and Hiroshi Amano

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)  2024年11月4日 

  20. Deep Ultraviolet Semiconductor Laser with Polarisation Control Technology 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)  2024年11月5日 

  21. UV-C LEDでのアノードコンタクト構造に向けRFマグネトロンスパッタにより成膜したMoOx薄膜の特性評価

    Kazuto Shibata, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    第43回電子材料シンポジウム（EMS）  2024年10月3日 

  22. 深紫外半導体レーザの最先端 招待有り

    久志本 真希

    第43回電子材料シンポジウム（EMS）  2024年10月3日 

  23. 深紫外半導体レーザの作製技術 招待有り

    久志本 真希

    第24回情報フォトニクス研究グループ　秋合宿  2024年9月25日 

  24. エミッション顕微鏡を用いたUV-C LEDにおける中長期劣化の観察

    本田 善央, 古澤 優太, 田中 敦之, 塚本 涼子, 宮崎 敦嗣, 坊山 晋也, 奥野 浩司, 斎藤 義樹, 嶋 紘平, 秩父 重英, 石黒 永孝, 竹内 哲也, 久志本 真希, 天野 浩

    第85回 応用物理学会 秋季学術講演会  2024年9月16日 

  25. 分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの作製 招待有り

    隈部 岳瑠, 吉川 陽, 川崎 晟也, 久志本 真希, 本田 善央, 新井 学, 須田 淳, 天野 浩

    第85回 応用物理学会 秋季学術講演会  2024年9月16日 

  26. 分布型分極ドーピングを用いたAlGaN系縦型p-nダイオードの特性評価 招待有り

    本田 善央, 隈部 岳瑠, 久志本 真希, 天野 浩

    第85回 応用物理学会 秋季学術講演会  2024年9月17日 

  27. Demonstration of AlGaN-on-AlN p-n Diodes with Dopant-free Distributed Polarization Doping 招待有り 国際会議

    Takeru Kumabe, Akira Yoshikawa, Seiya Kawasaki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Manabu Arai, Jun Suda, and Hiroshi Amano

    E-MRS 2024 Fall Meeting  2024年9月19日 

  28. 分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 招待有り

    隈部 岳瑠, 吉川 陽, 川崎 晟也, 久志本 真希, 本田 善央, 新井 学, 須田 淳, 天野 浩

    電気学会 C部門 電子デバイス研究会  2024年7月5日 

  29. 単結晶AlN基板上擬似格子整合AlGaN UV-Cレーザーダイオード 招待有り

    久志本 真希

    応用物理学会 応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会「窒化物半導体光デバイスの最前線」  2024年7月2日 

  30. 分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 招待有り

    隈部 岳瑠, 吉川 陽, 川崎 晟也, 久志本 真希, 本田 善央, 新井 学, 須田 淳, 天野 浩

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）  2024年6月21日 

  31. 室温連続波発振AlGaN系深紫外半導体レーザー 招待有り

    久志本 真希

    第395回蛍光体同学会講演会  2024年6月7日 

  32. AlN基板上に作製したUV-C CWレーザーダイオード 招待有り

    笹岡 千秋, 張 梓懿, 吉川 陽, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE) 30周年記念特別研究会  2024年5月28日 

  33. Advancements in AlGaN-Based Laser Diodes on AlN Substrates 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI) 

  34. The In Incorporation Corresponding to TMA Flow in MOVPE Growth of AlGaInN 国際会議

    Yuto Yamada, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

    21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)  2024年5月16日 

  35. Advancements in AlGaN-Based Laser Diodes on AlN Substrates 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)  2024年5月14日 

  36. Technology development for long life and high efficiency DUV LEDs 招待有り 国際会議

    Yoshiki Saito, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu

    LEDIA2024  2024年4月24日 

  37. Heterojunction contact layer UV LED with MgZnO:Ga as p-side contact layer 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanaka, Y. Honda, and H. Amano

    LEDIA2024  2024年4月24日 

  38. Separation of AlGaN-based LED structures from AlN/sapphire template by photoelectrochemical etching 国際会議

    Yoshio Honda, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukammoto, Yoshiki Saito, Koji Okuno, Shinya Boyama, Atsushi Miyazaki, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano

    LEDIA2024  2024年4月24日 

  39. Heterojunction contact layer UV LED with MgZnO:Ga as p-side contact layer 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanaka, Y. Honda, and H. Amano

    LEDIA2024 

  40. 深紫外 AlGaN 系発光デバイスの技術進展: UVC-LD，深紫外 LED コンタクト層開発 招待有り

    久志本 真希 , 本田 善央 , 天野 浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月24日 

  41. 分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証

    隈部 岳瑠, 吉川 陽, 川崎 晟也, 久志本 真希, 本田 善央, 新井 学, 須田 淳, 天野 浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月23日 

  42. [第45回優秀論文賞受賞記念講演] 単結晶AlN基板を用いた深紫外波長域レーザーダイオード 招待有り

    張 梓懿

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月23日 

  43. Development for long lifetime and high efficiency DUV LEDs 招待有り 国際会議

    Yoshiki Saito, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu

    SPIE Photonics West 2025  2024年1月30日 

  44. Power degradation mechanism of UV-C LEDs under current stress 招待有り 国際会議

    Yoshio Honda, Shigefusa F. Chichibu, Kohei K. Shima, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Yoshiki Saito, Atsushi Tanaka, Tetsuya Takeuchi, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano

    SPIE Photonics West 2025  2024年1月30日 

  45. Recent progress in the development of AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

    Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, Koji Aoto,

    SPIE Photonics West 2025  2024年1月28日 

  46. Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-Free Distributed-Polarization Doping 国際会議

    T. Kumabe, A. Yoshikawa, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Arai, J. Suda, and H. Amano

    69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)  2023年12月12日 

  47. Development of Room Temperature Continuous-Wave Deep Ultraviolet Laser Diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    30th International Display Workshops (IDW '23)  2023年12月7日 

  48. 深紫外線レーザーダイオードにおける室温連続発振の実現 招待有り

    張 梓懿, 久志本 真希, 吉川 陽, 笹岡 千秋, 天野 浩

    第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）  2023年12月5日 

  49. Study on degradation of deep ultraviolet laser diode 国際会議

    Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月16日 

  50. Realization of AlN electron blocking layer with abrupt interface and its subsequent improvement in UV-C light-emitting device characteristics 国際会議

    Akira Yoshikawa, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

  51. Recent developments in high efficiency for deep UV LEDs 招待有り 国際会議

    Yoshiki Saito, Kengo Nagata, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

  52. Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 国際会議

    Yoshio Honda, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukamoto, Yoshiki Saito, Koji Okuno, Kengo Nagata, Shinya Boyama, Atsushi Miyazaki, Maki Kushimoto, and Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

  53. Demonstration of UV-C LEDs utilizing p-GaN/MgZnO:Ga hetero-tunnel junction 国際会議

    Tatsuhiro Tanaka, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月17日 

  54. Recent Progress of Deep Ultraviolet Laser Diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月14日 

  55. Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate 招待有り 国際会議

    Z. Zhang, M.Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023)  2023年6月8日 

  56. CW operation of UV-C laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD Ⅵ)  2023年6月6日 

  57. 単結晶AlN基板上AlGaNを用いた270nm帯CW半導体レーザー 招待有り

    久志本 真希

    光電相互変換第125委員会 5月26日研究会  2023年5月26日 

  58. Breakthrough technologies to realize room-temperature continuous-wave deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    SKM DPG conference  2023年3月29日 

  59. [第1回ダイバーシティ＆インクルージョン賞 女性研究者研究奨励賞 受賞記念講演] 未踏波長帯域深紫外レーザーダイオード 招待有り

    久志本真希

    第70回　応用物理学会　春季学術講演会  2023年3月16日 

  60. Current-injected continuous-wave AlGaN-based UVC laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    SPIE Photonics West　2023  2023年2月1日 

  61. AlN基板を用いた深紫外半導体レーザー 招待有り

    久志本真希

    2022年度　結晶・評価WG研究会(第２回) /第45回CIRFEセミナー  2022年12月20日 

  62. Realization of continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode 招待有り 国際会議

    Ziyi Zhang，Maki Kushimoto

    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2022）  2022年11月17日 

  63. Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet LEDs 国際会議

    Tatsuhiro Tanaka, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022)  2022年10月24日 

  64. Shortest wavelength AlGaN based semiconductor lasers 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    40th SPP Physics Conference  2022年10月20日 

  65. Fabrication of GaN/AlN Resonant tunneling diodes by MOVPE 国際会議

    D. Iwata, T. Kumabe, H. Watanabe, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

  66. Continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode by current injection 国際会議

    Z. Zhang, M. Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

  67. Analysis of the cause of threshold rise of UV-C LD on AlN substrate 国際会議

    M.Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2022)  2022年10月12日 

  68. 異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起 PECエッチングの調査

    丹羽 ののか，川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 田中 敦之, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月23日 

  69. 深紫外レーザーダイオードの連続波発振 招待有り

    久志本 真希, 張 梓懿, 吉川 陽, 青戸 孝至, 本田 善央, ショーワルター レオ, 笹岡 千秋, 天野 浩

    第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月22日 

  70. Toward AlGaN-based deep-ultraviolet LDs - Demonstration of the shortest wavelength LD and realization of CW operation 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(ICMOVPE XX)  2022年7月14日 

  71. Approaches to low threshold current density in deep UV laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, L. J. Schowalter, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano

    Compound Semiconductor Week 2022(CSW2022)  2022年6月1日 

  72. High-efficiency AlGaN homojunction tunnel-junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

    Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirasama, and Hiroshi Amano

    5th International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD 2022)  2022年5月26日 

  73. Reduction of Threshold Current Density in UV-C LDs Fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    2022 MRS Spring Meeting  2022年5月23日 

  74. Development of reflective electrodes for deep-ultraviolet LEDs using polycrystalline MgZnO structural films 国際会議

    Maki Kushimoto, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Tatsuhiro Tanaka, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

  75. Potential distribution analysis of AlGaN homojunction tunnel-junction by electron holography 国際会議

    Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirayama, and Hiroshi Amano

    9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)  2022年4月22日 

  76. Development of high efficiency AlGaN tunnel junction deep-UV LEDs 招待有り 国際会議

    Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Yoshiki Saito, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Sciense(ISPlasma2022 / IC-PLANTS2022)  2022年3月10日 

  77. MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

    岩田大暉, 隈部岳瑠, 渡邉 浩崇, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月22日 

  78. 多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案

    八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年2月23日 

  79. Emission uniformity of UVC laser diodes on AlN substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    SPIE Photonics West 2022   2022年2月21日 

  80. AlN基板上UV-C レーザーダイオード

    久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩

    一般社団法人レーザー学会学術講演会第42回年次大会  2022年1月14日 

  81. UV-C LDs fabricated on AlN Substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity  2022年1月12日 

  82. 最短波長UVC-LD の実現とその周辺技術 招待有り

    久志本 真希，張 梓懿，本田 善央，レオ ショーワルター，笹岡 千秋，天野 浩

    一般社団法人ワイドギャップ半導体学会第4回研究会  2021年12月10日 

  83. Sputtered polycrystalline MgZnO as transparent electrode in AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet light-emitting diode for significant emission enhancement 国際会議

    Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto1, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

  84. Reduction of operating voltage of AlGaN homo junction tunnel junction deep UV light emitting diode by controlling impurity concentrations 国際会議

    Kengo Nagata, Hiroaki Makino, Hiroshi Miwa, Shinichi Matsui, Shinya Boyama, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021(ICMaSS2021)  2021年11月6日 

  85. Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Yoshio Honda, Leo Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    The IEEE Photonics Conference (IPC 2021)  2021年10月20日 

  86. 電子線ホログラフィーを用いたAlGaNホモ接合トンネルジャンクションの電位分布解析

    永田 賢吾, 穴田 智史, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩, 山本 和生, 平山 司

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

  87. 深紫外LEDの発光出力向上に向けた多結晶スパッタリングMgZnO透明電極

    松原 太一, 永田 賢吾, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

  88. AlGaNホモ接合 トンネルジャンクション深紫外 LED の低電圧駆動 （2）

    永田 賢吾, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

  89. Development of UV-C laser diode on AlN substrate using distributed polarization doped p-side cladding layer 招待有り 国際会議

    Chiaki Sasaoka, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Leo J. Schowalter, and Hiroshi Amano

    Lester Eastman Conference on High Performance Devices ( LEC 2021)  2021年8月4日 

  90. Deep UV Laser Diode with Compositionally Graded AlGaN p-cladding Layer 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

    CLEO 2021  2021年5月12日 

  91. UV-C laser diode with distributed polarization doped p-cladding layer 招待有り 国際共著 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    2021 MRS Spring Meeting  2021年4月18日 

  92. Development of polarization doped UVC LDs on AlN substrates 招待有り 国際共著 国際会議

    M. Kushimoto, Z. Zhang, T. Sakai, N. Sugiyama, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano

    CSW-2021  2021年5月13日 

  93. AlGaNホモ接合トンネルジャンクション深紫外LEDの低電圧駆動

    永田 賢吾, 牧野 浩明, 三輪 浩士, 松井 慎一, 坊山 晋也, 齋藤 義樹, 久志本 真希, 本田 善央, 竹内 哲也, 天野 浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日 

  94. 高温スパッタリングにより成膜したMgZnO透明電極材料の電気的及び光学的特性

    松原 太一 , 久志本 真希 , 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月18日 

  95. Development of UV-C laser diodes on AlN substrate 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano

    SPIE PHOTONICS WEST  2021年3月6日 

  96. Electrical and Optical Characteristics of Al-doped MgZnO Deposited by RF Magnetron Cosputtering 国際会議

    Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年3月1日 

  97. Electrically injected AlGaN based deep-ultraviolet laser diodes 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    IPC 2020  2020年9月28日 

  98. GaN-on-GaN Vertical Nanowire Power Schottky Barrier Diode Fabricated by Top-down Approach 国際会議

    Yaqiang Liao, Tao Chen, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Hirotaka Watanabe, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

    ISPSD 2020  2020年9月17日 

  99. Demonstration of a deep-ultraviolet laser diode on single crystal AlN substrate operating under current injection at room temperature 招待有り

    Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo.J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

  100. AlGaN 系深紫外光デバイスの開発 -レーザーダイオードと透明導電膜 - 招待有り

    久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月10日 

  101. 次世代深紫外光源に向けた透明導電膜と UV−C LD 招待有り

    久志本 真希

    第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会  2020年7月31日 

  102. 272 nm deep-ultraviolet laser diode fabricated on high-quality AlN substrate 招待有り 国際会議

    C. Sasaoka, Z. Zhang, M. Kushimoto, T. Sakai, N. Sugiyama, L. J. Schowalter, and H. Amano

    ALPS 2020  2020年4月22日 

  103. 表面積制御によるマイクロプレート型多色発光LEDの同時成長

    蔡　文トウ, 久志本 真希, 出来 真斗，田中 敦之，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

  104. ALD 法によりDBR を形成されたAlGaN UVC LD の室温パルス発振

    酒井 忠慶, 久志本 真希, 張 梓懿, 杉山 直治, 本田 善央, 笹岡 千秋, 天野 浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

  105. GaN 縦型p-n ダイオードにおける2 光子吸収光電流の測定

    川崎晟也，安藤悠人，田中敦之，塚越真悠子，谷川智之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会 

  106. p-GaN エピ層中に Si イオン注入により形成した n-GaN の電気特性評価

    三浦史也、安藤 悠人，高橋 昌大，出来 真斗, 田中 敦之，渡邉 浩崇，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

  107. ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面およびチャネル特性に与える影響

    安藤悠人、中村徹、出来真斗、田岡紀之、田中敦之、渡邉浩崇、久志本真希、新田州吾、本田善央、山田永、清水三聡、天野浩

    先進パワー半導体分科会第6回講演会 

  108. Crystal structure of MgZnO deposited by RF sputtering 国際会議

    Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) 

  109. Photoelectrochemical Etching for GaN MEMS

    Takehiro Yamada, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    EMS-38 

  110. Effect of interface state density on channel mobility in GaN lateral MISFET 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, and Hiroshi Amano

    SemiconNano 2019 

  111. GaN横型MISFETにおけるチャネル移動度に対する界面準位密度の影響2

    安藤 悠人,中村 徹, 出来 真斗, 田岡 紀之1, 田中 敦之, 渡邉 浩崇 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 山田 永, 清水 三聡, 天野 浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

  112. GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について

    田中敦之、安藤悠人、高橋昌大、三浦史也、川崎晟也、渡邉浩崇、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

  113. GaNへの高温Mg/Fイオン共注入によるグリーンルミネッセンスの抑制

    高橋 昌大，田中 敦之，安藤 悠人，渡邉 浩崇，出来 真斗，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，Kevin J. Chen，天野 浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

  114. エッチング法を用いたAlGaN UV-C レーザーの光共振器作製

    酒井 忠慶, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会秋季学術講演会 

  115. Effects of annealing process on electrical conductivity of MgZnO 国際会議

    Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2019) 

  116. High-Resolution Observation of In-Plane Carrier Concentration Nonuniformity in Vertical GaN p-n Diode Using Franz-Keldysh Effect and Avalanche Multiplication 国際会議

    Seiya Kawasaki, Hayata Fukushima, Shigeyosihi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

  117. Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O4/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

  118. Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O3/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 

  119. Interface properties of lateral MISFETs fabricated on m- and c-plane 国際会議

    Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

  120. Fabrication of GaN-on-GaN Vertical Nanowire Schottky Barrier Diode by Top-down Approach 国際会議

    Yaqiang Liao, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

  121. Suppression of green luminescence by co-implantation of Mg/F ions into GaN at high temperature 国際会議

    M. Takahashi, A. Tanaka, S. Usami, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 

  122. GaN 基板上横型MIS FET における移動度の面方位依存性

    安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

  123. Two-dimensional h-BN multilayer grown on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

    Xu Yang, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yuhuai Liu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2DC4) 

  124. Mg composition control of co-sputtered MgZnO thin films toward the application of deep-UV transparent electrode 国際会議

    Tadayoshi Sakai, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

  125. RFスパッタ法を用いたMgZnOの熱処理効果

    久志本真希，酒井 忠慶、出来 真斗、本田 善央、天野 浩

    第66回　応用物理学会春季学術講演会 

  126. 飛行時間型質量分析法を用いたトリメチルアルミニウムとアンモニアの気相反応分析

    大山　武浩、叶　正、久志本　真希、新田　州吾、本田　善央、天野　浩大山　武浩、叶　正、久志本　真希、新田　州吾、本田　善央、天野　浩

    第66回　応用物理学会春季学術講演会 

  127. 深紫外透明電極応用に向けたMgZnO 薄膜の吸収端制御

    酒井 忠慶, 久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

    第66回　応用物理学会春季学術講演会 

  128. Optical properties of AlGaN based UVC laser structures on annealed AlN template 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Yang Xu, Yuhuai Liu, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018) 

  129. RF スパッタ法を用いた紫外透過 MgZnO 透明導電膜の作製 招待有り

    久志本真希，酒井忠慶、古澤優太、出来真斗、本田善央、天野浩

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム 

  130. 深紫外透明電極応用に向けたMgZnO薄膜の組成制御

    酒井忠慶、久志本真希、出来真斗、本田善央, 天野浩

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム 

  131. GaN中転位の三次元観察と転位がパワーデバイスに与える影響 招待有り

    田中敦之, 宇佐美茂佳, 安藤悠人,　永松謙太郎, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

  132. GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響 招待有り

    出来真斗、曾根和詩、永松謙太郎、田中敦之、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会 

  133. Mesa depth dependence of breakdown voltage of GaN pn diode 国際会議

    Hayata Fukushima, Yuto Ando, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ISPlasma2018 

  134. Comparison of In incorporation in axial InGaN quantum wells on GaN and InGaN nanorods grown by lasma assisted molecular beam epitaxy 国際会議

    Tasuya Hattori,Maki Kushimoto,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Hiroshi Amano

    ISPlasma2018 

  135. Development of Sustainable Smart Society by Transformative Electronics 招待有り 国際会議

    M. Ogura, Y. Ando, S. Usami, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Kawai, S. Yagi, H. Amano

    2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2017) 

  136. -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究

    河野　司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野　浩

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

  137. In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices 招待有り 国際会議

    S. Nitta, Z. Liu, S. Usami, Z. Ye, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek, and H. Amano

    Optics 2017 / 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics 

  138. m 面窒化ガリウム基板を用いた金属-酸化膜-半導体キャパシタの界面準位と絶縁破壊電界

    第36回電子材料シンポジウム 

  139. 分子線エピタキシー法により成長させたGaN およびInGaN ナノロッド上の軸上InGaN 量子井戸におけるIn の取り込みの比較

    第36回電子材料シンポジウム 

  140. GaN 自立基板上pn ダイオードのリーク電流と転位の関係

    第36回電子材料シンポジウム 

  141. m 面オフ角GaN 基板を用いたMOVPE とMOVPE 層上のSBD

    第36回電子材料シンポジウム 

  142. 異なるGaN ⾃⽴基板上縦型PN ダイオードのキラー転位解析

    宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠⼈、⽥中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真⽃、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

    ⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

  143. GaN パワーデバイスの周辺耐圧構造の検討

    福島 颯太、安藤 悠⼈、宇佐美 茂佳、⽥中 敦之、永松 謙太郎、出来 真⽃、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

    ⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

  144. オフ⽅向の異なるホモエピタキシャルm ⾯ショットキーバリアダイオードの作製

    安藤 悠⼈、永松 謙太郎、⽥中 敦之、宇佐美 茂佳、出来 真⽃、Barry Ousmane、久志本 真希、新⽥ 州吾、本⽥ 善央、天野 浩

    ⽇本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会 100 回記念特別公開シンポジウム 

  145. Semipolar InGaN optical devices on patterned Si substrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto, Takafumi Suzuki, Daiki Ito, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

    The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

  146. Evaluation of internal quantum efficiency of LED by photocurrent measurement 招待有り 国際会議

    Shigeyoshi Usami, Kazunobu Kojima, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Shigefusa Chichibu, Hiroshi Amano

    The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017) 

  147. Blue LEDs and Transformative Electronics for Establishing Sustainable Smart Society 国際会議

    "S. Usami, Z. Ye, X. Yang, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, H. Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

  148. Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

    M. Deki, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)  

  149. Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes 国際会議

    "M. Deki, Y. Ando, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors 

  150. 転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

    宇佐美 茂佳、福島 颯太、安藤 悠人、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

  151. The effect of the environment temperature of the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    Zhibin Liu、Shugo Nitta、Shigeyoshi Usami、Kentaro Nagamatsu、Maki Kushimoto、Manato Deki、Yoshio Honda、Hiroshi Amano

    第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

  152. オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD

    安藤 悠人、永松 謙太郎、田中 敦之、宇佐美 茂佳、バリー ウスマン1、出来 真斗、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    第78回応用物理学会　秋季学術講演会 

  153. Development of Sustainable Smart Society via Transformative Electronics 国際会議

    H. Amano, Y. Robin, S. Y. Bae, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, T. Nishitani, D. Sato, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek

    The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 

  154. Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors 国際会議

    Manato Deki, Kazushi Sone, Junya Matsushita, Kentarou Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

  155. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on free-standing GaN substrate 国際会議

    Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

  156. Reduction of Dislocation in GaN on Silicon Substrate Using In-situ Etching 国際会議

    Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

  157. m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE layer on several off-angled GaN substrate 国際会議

    Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    ICNS-12 

  158. 異なるInGaN膜厚の(1-101)GaN基板上太陽電池の作製

    久志本真希、宇佐美茂佳、出来真斗、本田善央、天野浩

    第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

  159. 成長法の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

    宇佐美茂佳,安藤悠人、福島颯太、田中敦之、永松謙太郎、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩

    第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

  160. m 面GaN 基板上 厚膜GaN-SBD の逆方向リーク電流

    安藤悠人, 永松謙太郎, 田中敦之, 宇佐美茂佳, 出来真斗,　久志本真希, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

    第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 

  161. Growth of III-Nitride Nanorods for Future Optoelectronics Applications 国際会議

    Hiroshi Amano, Tatsuya Hattori, Yoann Robin, Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Yasuhisa Ushida, Geoffrey Avit, Agnès Trassoudaine

    18th International Conference on Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18)  

  162. GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

    宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

  163. O2プラズマ処理およびO3酸化処理を行ったAl2O3/GaN構造の界面準位密度評価

    曾根 和詩、 松下 淳矢、 安藤 悠人、 永松 謙太郎、 田中 敦之、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

  164. 2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaNHBTの作製

    安藤 悠人、 小倉 昌也、 松下 淳矢、 宇佐美 茂佳、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

  165. Si基板上半極性(1-101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製

    鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

  166. 絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

    宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

  167. 窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

    松下 淳矢，永松 謙太郎 ，Xu Yang，田中 敦之，久志本 真希，出来 真斗，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

    先進パワー半導体分科会 第４回講演会 

  168. 二次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

    安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

    先進パワー半導体分科会 第４回講演会 

  169. Facet Distribution of Leakage Current and Carrier Concentration in m-Plane GaN Schottky Barrier Diode Fabricated with MOVPE 国際会議

    A. Tanaka, O. 1 Barry, K. Ngamatsu, J. Matsushita, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2016(IWN2016) 

  170. Semipolar lasers on structured Si-Subtrates 招待有り 国際会議

    Maki Kushimoto

    Heimbach workshop2016 

  171. 窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの作製 と電気特性評価

    松下 淳矢，永松 謙太郎 ，Xu Yang，田中 敦之，久志本 真希，出来 真斗，新田 州吾，本田 善央，天野 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

  172. InGaN成長中のInウェッティングレイヤーのレーザー散乱による観察

    山本 哲也,永松 謙太郎,久志本真希,出来真斗,新田 州吾,本田 善央,天野 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

  173. GaN 自立基板上PIN ダイオードにおける順方向発光パターン解析

    宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

  174. InGaN surface roughness recovery by hydrogen treatment as monitored by in situ laser scattering 国際会議

    Tetsuya Yamamoto, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 

  175. Si(001)基板上(1-101)高In 組成InGaN における積層欠陥の形成

    久志本真希、本田善央、天野浩

    第35 回電子材料シンポジウム 

  176. Si基板上(1-101)高In組成InGaN結晶の緩和過程

    久志本真希、本田善央、天野浩

    第8回窒化物半導体結晶成長講演会 

  177. Growth and characterization of semipolar (1-101)high-indium-content quantum wells on Si(001) 国際会議

    Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides 

  178. Lasing Properties of (1-101) InGaN/GaN Stripe Cavity Structure on Patterned (001) Si Substrate 国際会議

    Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

    The 3th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 

  179. Laser-based in situ monitoring of high In-content InGaN growth on GaN (0001) 国際会議

    T.Mitsunari, T. Yamamoto, M. Kato, A. Tamura, S. Usami, M. Kushimoto, K. Yamashita, Y. Honda, Y. Lacroix, and H. Amano

    10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 

  180. Optical gain spectra of (1-101) InGaN stripe cavity structures on a patterned (001) Si substrate 国際会議

    Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2014(IWN2014) 

  181. Growth of (1-101)InGaN stripes on patterned (001)Si substrate 国際会議

    Yasukazu Sone, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    The 15th IUMRS-International Congerence in Asia 

  182. Growth optimization of green InGaN multi-quantum well 国際会議

    "T.Mitsunari1, A. Tamura1, S. Usami1, M. Kushimoto1, K. Yamashita1, Y. Honda1, Y. Lacroix3, and H. Amano1,2

    Conference on LED and Its Industrial Application '14 

  183. Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10) 

  184. Optical properties of semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well with cavity structure on patterned Si substrae 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures(EDISON18) 

  185. Optical polarization properties in semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate 国際会議

    M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

  186. Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on (1-101) GaN 国際会議

    T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012) 

  187. Reduction of dislocations and residual stress in GaN grown on patterned Si substrate 国際会議

    T. Tanikawa, T. Mitsunari, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    11th Akasaki Research Center Symposium 

  188. AlN基板上UV-C LDのプロセス起因劣化 招待有り

    笹岡千秋、久志本真希、張梓懿、天野浩

    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会　第172 回研究会  2021年10月1日 

  189. 第3回 光材料・応用技術研究会 招待有り

    久志本 真希

    第3回 光材料・応用技術研究会   2023年11月10日 

  190. 世界最短波長深紫外半導体レーザー 招待有り

    久志本 真希

    TRiSTAR第１期奥村フェロー主催研究セミナー  2023年5月12日